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基于28nm工藝低電壓SRAM單元電路設(shè)計
基于SMIC 28nm工藝節(jié)點仿真結(jié)果顯示,新型10T單元結(jié)構(gòu)在電源電壓為1 05V時,和傳統(tǒng)6T單元相比,RSNM提升了 2 19倍,WM提升了 2 13倍。同時,在單元讀寫操作時,錯誤率較低。
2020-02-28
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SPI FLASH讀寫介紹
對flash芯片的操作,一般包括對flash芯片的擦除,編程和讀取,各大廠商的SPI flash芯片都大同小異,操作命令基本是沒什么變化的,當(dāng)我們拿到一款芯片,要特別注意芯片的容量,操作分區(qū)等。
2020-02-24
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如何對外擴(kuò)SRAM進(jìn)行讀寫
如何對SRAM進(jìn)行讀寫使用指針的方法進(jìn)行讀寫不需要寫讀寫函數(shù),可以直接使用指針的方式對STM32的內(nèi)存地址進(jìn)行訪問。(1)首先要定義SRAM的基
2020-02-20
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ISSI 4Mbit鎖存式SRAM
ISSIIS61 64WV25616LEBLL是高速,低功耗4M位鎖存的靜態(tài)RAM,組織為256K字乘以16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的,并實現(xiàn)了ECC功能
2020-02-18
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外部SRAM應(yīng)用場合
SRAM也是隨機(jī)尋址數(shù)據(jù)的最佳選擇。很多SRAM器件都可以存取無序地址的數(shù)據(jù),反應(yīng)時間與存取有序地址的數(shù)據(jù)一樣短,而SDRAM在這一點上做得并不好。
2020-01-21
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可穿戴電子設(shè)備中的SRAM
在所有可用的存儲器中,SRAM是用作外部高速緩存的最佳選擇。因為它與DRAM相比待機(jī)電流消耗較低,而且其存取時間也比DRAM和閃存更短。
2020-01-17
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