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半導(dǎo)體SRAM存儲(chǔ)器綜述
最近30年，隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器也正朝著顯著的方向發(fā)展，由于DRAM具有高密度和每位低價(jià)格的優(yōu)點(diǎn)，已成為了生產(chǎn)最多的用
2020-05-14
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帶有ECC的256Kx16高速異步SRAM
ISSIIS61WV25616EDALL是高速，低功耗4M位靜態(tài)RAM，組織為256K字乘16位。它使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造，并實(shí)現(xiàn)了ECC功能以提高可靠性。當(dāng)
2020-05-13
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SRAM的發(fā)展概況及趨勢(shì)
存儲(chǔ)器作為通用器件，可廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代航天武器系統(tǒng)的控制、制導(dǎo)導(dǎo)航、數(shù)據(jù)采集與傳輸、圖象處理、通訊、測(cè)控等不同領(lǐng)域，完全取代國(guó)外同類(lèi)產(chǎn)品，其應(yīng)用前景十分廣闊。
2020-05-12
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SRAM靈敏放大器的類(lèi)型及設(shè)計(jì)思想
為了在設(shè)計(jì)中既能提高存儲(chǔ)單元的讀取速度，又能增大信號(hào)的擺幅，在設(shè)計(jì)中，我們采用了差分與交叉耦合級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)。
2020-05-11
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關(guān)于如何提高SRAM存儲(chǔ)器的新方法
SRAM是當(dāng)今處理器上最普遍的內(nèi)存。當(dāng)芯片制造商宣布他們已經(jīng)成功地將更多的電路封裝到芯片上時(shí)，通常是較小的晶體管引起了人們的注意。但是
2020-05-09
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SRAM中靈敏放大器的原理
在SRAM 中，讀操作開(kāi)始前，先要對(duì)兩條位線進(jìn)行預(yù)充電，將兩條位線初始化為相同的高電平。預(yù)充完后，字線選中的存儲(chǔ)單元對(duì)位線進(jìn)行充放電。
2020-05-08
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