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ISSI具有糾錯(cuò)功能的Async SRAM
近年來(lái),對(duì)精密半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的需求已從個(gè)人計(jì)算機(jī)市場(chǎng)擴(kuò)展到了汽車,通信和數(shù)字消費(fèi),工業(yè)及醫(yī)療市場(chǎng)。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存容量,以幫助處
2020-05-26
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SRAM市場(chǎng)動(dòng)向
當(dāng)今世界環(huán)境保護(hù)已蔚然成風(fēng),力求節(jié)約能源,因此強(qiáng)烈要求電子系統(tǒng)低功耗化和低電壓化。而且由于制造SRAM的半導(dǎo)體工藝精細(xì)化,SRAM要求低電
2020-05-25
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SRAM市場(chǎng)與技術(shù)
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲(chǔ)單元,只要不切斷其供電電源,它就能永遠(yuǎn)保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此 SRAM與通常的
2020-05-22
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如何減小SRAM讀寫(xiě)操作時(shí)的串?dāng)_
靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM是一款不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。在SRAM 存儲(chǔ)陣列的設(shè)計(jì)中,經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)串?dāng)_問(wèn)題發(fā)生。那么要如何減小
2020-05-19
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采用分級(jí)字線結(jié)構(gòu)可提高SRAM讀寫(xiě)速度及降低電路動(dòng)態(tài)功耗
采用分級(jí)字線結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器將整個(gè)存儲(chǔ)陣列劃分為若干個(gè)相同的子陣列。與非分級(jí)字線結(jié)構(gòu)相比,它需要采用多級(jí)的字線譯碼才能完成對(duì)存儲(chǔ)單元的
2020-05-18
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SRAM中的功耗來(lái)源
在CMOS電路中,功耗的來(lái)源主要有兩個(gè)方面(1)靜態(tài)功耗,即反向漏電流造成的功耗;(2)動(dòng)態(tài)功耗,由電路作開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)進(jìn)入過(guò)渡區(qū)由峰值電流
2020-05-15
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