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Cypress存取時(shí)間為10納秒的異步SRAM
Cypress16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時(shí)間小于10ns。異步SRAM內(nèi)含l億多個(gè)晶體管﹐采用6個(gè)晶體管存儲(chǔ)單元﹐是該公司4兆字節(jié)快速異步SRAM的后
2020-11-12
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超低功耗MCU如何降低功耗
低功耗是MCU的一項(xiàng)非常重要的指標(biāo),比如某些可穿戴的設(shè)備,其攜帶的電量有限,如果整個(gè)電路消耗的電量特別大就會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)電量不足的情況。
2020-11-11
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NAND FLASH的接口控制設(shè)計(jì)
Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種,Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand
2020-11-02
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NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別
1 1接口差別NOR Flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來(lái)尋址,可以直接和CPU相連,CPU可以直接通過(guò)地址總線對(duì)NOR Flash進(jìn)行訪問(wèn),可以很容易
2020-10-30
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SDRAM內(nèi)存條時(shí)序特點(diǎn)
計(jì)算機(jī)上廣泛應(yīng)用的內(nèi)存條具有速度高、容量大、接口標(biāo)準(zhǔn)、擴(kuò)展方便等優(yōu)點(diǎn)。在大容量,高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的領(lǐng)域,應(yīng)用SDRAM內(nèi)存條代替一般的單片SDRAM存儲(chǔ)器,給實(shí)際電路的更改和存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展帶
2020-10-29
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PSRAM是異步SRAM的理想替代品
PSRAM與傳統(tǒng)的六晶體管(6T)SRAM單元性能相當(dāng),但卻有著標(biāo)準(zhǔn)異步SRAM無(wú)法比擬的絕對(duì)成本優(yōu)勢(shì)。此外,PSRAM還可提供極高的存儲(chǔ)密度,如32Mbit和64Mbit,可滿足手機(jī)廠商手機(jī)擴(kuò)展功能的需要。
2020-10-20
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