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非易失性存儲(chǔ)器EEPROM
非易失性存儲(chǔ)器主要是用來存放固定數(shù)據(jù)、固件程序等一般不需要經(jīng)常改動(dòng)的數(shù)據(jù)。目前主流非易失性存儲(chǔ)器主要有EEPROM、MRAM、FLASH、FRAM。E
2020-12-10
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NAND FLASH系統(tǒng)的權(quán)衡利弊
NAND FLASH是一種大眾化的非易失性存儲(chǔ)器，主要是因?yàn)樾⌒秃偷凸那覉?jiān)固耐用。盡管此技術(shù)適合現(xiàn)代存儲(chǔ)，但在將其列入較大系統(tǒng)的一部分時(shí)
2020-12-09
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2020年第三季Nand Flash營(yíng)收僅微幅上升0.3%
根據(jù)集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處表示，第三季Nand Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達(dá)145億美元，季增0 3%，其中位元出貨季增9%，平均銷售單價(jià)則季減9%。
2020-12-07
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易失性存儲(chǔ)器SRAM基礎(chǔ)知識(shí)
存儲(chǔ)器概況存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，主要是用來存放程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導(dǎo)體
2020-12-03
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訪問SDRAM的低功耗優(yōu)化設(shè)計(jì)方案
為了降低DSP外部SDRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)的功耗,針對(duì)DSP訪問片外SDRAM的功耗來源特點(diǎn),提出了基于總線利用率動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)的讀寫歸并方案。該方案動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)外
2020-12-01
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SRAM的容量擴(kuò)展
通常微處理器的數(shù)據(jù)總線為8位和16位或32位，而地址總線為16位或24位不等。當(dāng)靜態(tài)RAM的地址線和數(shù)據(jù)線不能與微機(jī)相匹配時(shí)，可用地址線擴(kuò)展和
2020-11-30
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