正確的同步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）的選擇對(duì)于帶寬要求更高，系統(tǒng)性能更好的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用至關(guān)重要。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要了解不同同步SRAM技術(shù)的特性和優(yōu)勢(shì)，以便為其應(yīng)用選擇正確的存儲(chǔ)器。
 
決定正確的同步SRAM選擇的一些關(guān)鍵因素是密度，等待時(shí)間，速度，讀/寫比和功率。通過了解這些因素如何影響性能，可靠性和成本，設(shè)計(jì)人員可以為其應(yīng)用選擇最佳的同步SRAM。宇芯電子專注代理銷售SRAM，異步SRAM，同步SRAM,PSRAM等存儲(chǔ)芯片，提供產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案。
 
同步高速SRAM有多種形式，具有不同的性能特征和優(yōu)勢(shì)。標(biāo)準(zhǔn)同步SRAM通常用于工業(yè)電子，儀器儀表和軍事應(yīng)用。這些設(shè)備通常用作數(shù)據(jù)緩沖區(qū)（臨時(shí)存儲(chǔ)），并且可以通過它們的高速，單數(shù)據(jù)速率（SDR）接口隨機(jī)訪問。標(biāo)準(zhǔn)同步突發(fā)SRAM非常適合占主導(dǎo)地位的讀取或?qū)懭氩僮?。客戶可以在具有用戶可選的線性和交錯(cuò)突發(fā)模式以及單周期取消選擇（SCD）和雙周期取消選擇（DCD）選項(xiàng)的直通（FT）或流水線（PL）體系結(jié)構(gòu)之間進(jìn)行選擇。
 
存儲(chǔ)器選擇：關(guān)鍵因素
 
選擇同步高速SRAM存儲(chǔ)器的主要考慮因素之一是數(shù)據(jù)帶寬，數(shù)據(jù)帶寬隨同步SRAM的不同類型而變化。為了進(jìn)行計(jì)算，已考慮了最大時(shí)鐘頻率和x36的總線寬度。
 
同步SRAM存儲(chǔ)器選擇的另一個(gè)因素是功率效率。由于電源電壓較低，與標(biāo)準(zhǔn)同步高速SRAM相比，QDR / DDR器件的功耗更低。表1概述了決定內(nèi)存選擇的其他因素：

   
提供了各種各樣的同步高速SRAM。通過了解可用的不同類型的內(nèi)存，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可以為其應(yīng)用選擇正確的同步內(nèi)存選項(xiàng)。

VTI 同步SRAM

型號(hào)	容量	位寬	溫度	類型	電壓(V)	頻率(MHz)	封裝	包裝	狀態(tài)
VTI304NP36TM	4M bit	128K x 36	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI304NP18TM	4M bit	256K x 18	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI309NP36TM	9M bit	256K x 36	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI309NP18TM	9M bit	512K x 18	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI318NP36TM	18M bit	512K x 36	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI318NP18TM	18M bit	1M x 18	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI336NP36TM	36M bit	1M x 36	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI336NP18TM	36M bit	2M x 18	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP

 

關(guān)鍵詞：SRAM   同步SRAM