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SRAM市場(chǎng)動(dòng)向
當(dāng)今世界環(huán)境保護(hù)已蔚然成風(fēng),力求節(jié)約能源,因此強(qiáng)烈要求電子系統(tǒng)低功耗化和低電壓化。而且由于制造SRAM的半導(dǎo)體工藝精細(xì)化,SRAM要求低電
2020-05-25
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如何減小SRAM讀寫操作時(shí)的串?dāng)_
靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM是一款不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。在SRAM 存儲(chǔ)陣列的設(shè)計(jì)中,經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)串?dāng)_問(wèn)題發(fā)生。那么要如何減小
2020-05-19
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SRAM中的功耗來(lái)源
在CMOS電路中,功耗的來(lái)源主要有兩個(gè)方面(1)靜態(tài)功耗,即反向漏電流造成的功耗;(2)動(dòng)態(tài)功耗,由電路作開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)進(jìn)入過(guò)渡區(qū)由峰值電流
2020-05-15
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帶有ECC的256Kx16高速異步SRAM
ISSIIS61WV25616EDALL是高速,低功耗4M位靜態(tài)RAM,組織為256K字乘16位。它使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造,并實(shí)現(xiàn)了ECC功能以提高可靠性。當(dāng)
2020-05-13
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SRAM靈敏放大器的類型及設(shè)計(jì)思想
為了在設(shè)計(jì)中既能提高存儲(chǔ)單元的讀取速度,又能增大信號(hào)的擺幅,在設(shè)計(jì)中,我們采用了差分與交叉耦合級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)。
2020-05-11
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SRAM中靈敏放大器的原理
在SRAM 中,讀操作開(kāi)始前,先要對(duì)兩條位線進(jìn)行預(yù)充電,將兩條位線初始化為相同的高電平。預(yù)充完后,字線選中的存儲(chǔ)單元對(duì)位線進(jìn)行充放電。
2020-05-08
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